Транзисторы
| Артикул | Наименование | Производитель | Наличие | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| GD75FFX170C6SA | GD75FFX170C6SA | Starpower | 3 шт отгрузка 1–3 дня |
13022,54 ₽ | ||
|
SKIIP23NAB12T4V1 | IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin | SEMIKRON | 19 шт отгрузка 1–3 дня |
7388,42 ₽ | |
|
XNG450B24KC5A5 | IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой | Xiner | 2458 шт отгрузка 1–3 дня |
10255,55 ₽ | |
|
DFI450HF17I4RE1 | IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой | Leapers Semiconductor | 3923 шт отгрузка 1–3 дня |
8373,98 ₽ | |
| GD75PIY120C6S | IGBT модуль 1200B 75А | Starpower | 20 шт отгрузка 1–3 дня |
9980,24 ₽ | ||
|
GD100HFY120C1S | IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150°С | Starpower | 19 шт отгрузка 1–3 дня |
3617,62 ₽ | |
|
GD300HFX170C6S | IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package | Starpower | 3 шт отгрузка 1–3 дня |
7535,15 ₽ | |
|
XNG300B34KC2S8 | IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package | Xiner | 15 шт отгрузка 1–3 дня |
11899,12 ₽ | |
|
GD450HFX170C6S | IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package | Starpower | 4 шт отгрузка 1–3 дня |
14479,06 ₽ | |
|
GD600HFX170C6S | IGBT модуль 1700B 600А 2 in one-package | Starpower | 1 шт отгрузка 1–3 дня |
30122,38 ₽ | |
|
APMTI450HB17ED3M | IGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3 | . | 9 шт отгрузка 1–3 дня |
9124,86 ₽ | |
| FF500R17KE4 | IGBT модуль 1700В, 500А, корпус 62 мм | INF | 20 шт отгрузка 1–3 дня |
20115,77 ₽ | ||
|
GD100HFU120C1S | IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package | Starpower | 52 шт отгрузка 1–3 дня |
4783,91 ₽ | |
|
IRF7530TRPBF | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 | INF | 170 шт отгрузка 1–3 дня |
260,22 ₽ | |
|
IRL6372TRPBF | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC | INF | 757 шт отгрузка 1–3 дня |
206,04 ₽ | |
|
STS1DNC45 | MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC | STM | 839 шт отгрузка 1–3 дня |
135,55 ₽ | |
|
IRF9362TRPBF | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC | INF | 2062 шт отгрузка 1–3 дня |
95,37 ₽ | |
| WMO80R1K5S | N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A. | WAYON | 359 шт отгрузка 1–3 дня |
75,70 ₽ | ||
|
WM02P23M | P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A | WAYON | 2910 шт отгрузка 1–3 дня |
5,25 ₽ | |
| WMB340N20HG2 | Power MOSFET N-Channel 200V, 40A | WAYON | 300 шт отгрузка 1–3 дня |
123,56 ₽ | ||
|
DMMT5401-7-F | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 | DIODES | 1548 шт отгрузка 1–3 дня |
14,76 ₽ | |
|
IXFH34N65X2 | Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | Littelfuse | 41 шт отгрузка 1–3 дня |
561,15 ₽ | |
|
WM03P91A | WM03P91A | WAYON | 98 шт отгрузка 1–3 дня |
6,57 ₽ | |
|
BC847C | Биполярный N-P-N - транзистор. Напряжение К-Э 45 В; 100 мА; 200 мВт; h21: 420…800; fT 100 МГц; корпус SOT-23, Граничная частота 100 МГц | YangJie | 15839 шт отгрузка 1–3 дня |
3,29 ₽ | |
| BC858BWH6327XTSA1 | Биполярный транзистор PNP 30В 0.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке | INF | 3222 шт отгрузка 1–3 дня |
6,61 ₽ | ||
|
BSP50H6327XTSA1 | Биполярный транзистор 1.5Вт | INF | 970 шт отгрузка 1–3 дня |
49,74 ₽ | |
| SKM100GB12T4G | Биполярный транзистор IGBT | SEMIKRON | 7 шт отгрузка 1–3 дня |
4576,94 ₽ | ||
| SKIIP23NAB126V10 | Биполярный транзистор IGBT | SEMIKRON | 23 шт отгрузка 1–3 дня |
8793,48 ₽ | ||
|
SKM100GB12T4 | Биполярный транзистор IGBT | SEMIKRON | 168 шт отгрузка 1–3 дня |
4825,32 ₽ | |
|
SKM150GB12T4 | Биполярный транзистор IGBT | SEMIKRON | 94 шт отгрузка 1–3 дня |
6673,22 ₽ | |
|
FF300R12KT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А | INF | 53 шт отгрузка 1–3 дня |
8437,64 ₽ | |
| DG40F12T2 | Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 | Starpower | 87 шт отгрузка 1–3 дня |
493,90 ₽ | ||
|
IXBH9N160G | Биполярный транзистор IGBT 1600В 9А 100Вт TO247AD | Littelfuse | 4 шт отгрузка 1–3 дня |
282,69 ₽ | |
|
STGB18N40LZT4 | Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK | STM | 319 шт отгрузка 1–3 дня |
143,69 ₽ | |
|
IGW20N60H3FKSA1 | Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247 | INF | 187 шт отгрузка 1–3 дня |
357,76 ₽ | |
|
STGP20NC60V | Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220 | STM | 16 шт отгрузка 1–3 дня |
421,30 ₽ | |
|
STGW45HF60WD | Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W | STM | 113 шт отгрузка 1–3 дня |
901,97 ₽ | |
|
FS75R12KE3BOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт | INF | 15 шт отгрузка 1–3 дня |
24450,52 ₽ | |
|
IGW60T120FKSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт | INF | 71 шт отгрузка 1–3 дня |
864,24 ₽ | |
| FF100R12RT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт | INF | 32 шт отгрузка 1–3 дня |
7758,35 ₽ |
Транзисторы — полупроводниковые приборы для усиления и коммутации сигналов и мощности. Их используют в источниках питания, драйверах двигателей, усилителях, инверторах, схемах управления нагрузкой и защиты.
Типы транзисторов в каталоге
- биполярные (NPN и PNP) — малосигнальные, средней и большой мощности, составные (Дарлингтона);
- полевые MOSFET с N- и P-каналом, в том числе логического уровня;
- IGBT-транзисторы и модули для силовой электроники.
На что смотреть при выборе
- максимальное напряжение сток–исток или коллектор–эмиттер;
- ток и рассеиваемая мощность, корпус (SOT-23, TO-220, TO-247, D2PAK и др.);
- для MOSFET — сопротивление канала Rds(on) и заряд затвора Qg;
- для биполярных — коэффициент усиления hFE и граничная частота.
Каталог можно отфильтровать по производителю, цене и наличию. Поможем подобрать замену распространённым транзисторам и привезём редкие позиции под заказ. Оплата картой или по счёту, доставка по России.