Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Артикул: FF100R12RT4HOSA1 Производитель: INF
7584,05 ₽ от 1 шт

Актуальную цену уточняйте у менеджера.

Цена зависит от количества
КоличествоЦена за шт
от 1 шт7584,05 ₽
от 2 шт7219,43 ₽
от 3 шт6930,01 ₽
от 4 шт6694,28 ₽
от 5 шт6519,31 ₽
В наличии: 12 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

АртикулFF100R12RT4HOSA1
ПроизводительINF
РазделСиловые модули IGBT
Наличие12 шт на складе
Вес189 г
В упаковке, шт10
Единица измеренияшт
Мин. заказ1
УпаковкаPaper Box

Аналоги и замены

Взаимозаменяемые компоненты

Смотрите также

Весь раздел →