Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Артикул: FF150R12RT4HOSA1 Производитель: INF
8880,11 ₽ от 1 шт

Актуальную цену уточняйте у менеджера.

Цена зависит от количества
КоличествоЦена за шт
от 1 шт8880,11 ₽
от 2 шт8531,71 ₽
от 3 шт8261,03 ₽
от 6 шт8079,96 ₽
от 10 шт7920,67 ₽
В наличии: 150 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

АртикулFF150R12RT4HOSA1
ПроизводительINF
РазделСиловые модули IGBT
Наличие150 шт на складе
Вес182 г
В упаковке, шт10
Единица измеренияшт
Мин. заказ1
УпаковкаTray (палетта)

Аналоги и замены

Взаимозаменяемые компоненты

Смотрите также

Весь раздел →