Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Артикул: FF150R12RT4HOSA1 Производитель: INF

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

8771,82 ₽

В наличии: 186 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

Артикул	FF150R12RT4HOSA1
Производитель	INF
Раздел	Силовые модули IGBT
Наличие	186 шт на складе
Вес	182 г
В упаковке, шт	10
Единица измерения	шт
Мин. заказ	1
Упаковка	Tray (палетта)

Похожие товары

Весь раздел →

SKIIP23NAB12T4V1

IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin

В наличии: 27 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

В наличии: 2466 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой

DFI450HF17I4RE1

IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой

В наличии: 3923 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package

В наличии: 2 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT модуль 1200B 600А

В наличии: 4 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT модуль 1200B 600А 2 in one-package

В наличии: 10 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150°С

В наличии: 25 шт · отгрузка 1–3 дня

IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package

В наличии: 3 шт · отгрузка 1–3 дня