Полевые транзисторы

Показать что в наличии Найдено: 1729

	Артикул	Наименование	Производитель	Наличие	Цена
	IRF7530TRPBF	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8	INF	170 шт отгрузка 1–3 дня	260,22 ₽
	IRL6372TRPBF	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC	INF	757 шт отгрузка 1–3 дня	206,04 ₽
	STS1DNC45	MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC	STM	839 шт отгрузка 1–3 дня	135,55 ₽
	IRF9362TRPBF	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC	INF	2062 шт отгрузка 1–3 дня	95,37 ₽
	WMO80R1K5S	N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A.	WAYON	359 шт отгрузка 1–3 дня	75,70 ₽
	WM02P23M	P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A	WAYON	2910 шт отгрузка 1–3 дня	5,25 ₽
	WMB340N20HG2	Power MOSFET N-Channel 200V, 40A	WAYON	300 шт отгрузка 1–3 дня	123,56 ₽
	IXFH34N65X2	Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	Littelfuse	41 шт отгрузка 1–3 дня	561,15 ₽
	WM03P91A	WM03P91A	WAYON	98 шт отгрузка 1–3 дня	6,57 ₽
	YJG100N04A	Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 100 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=83 Вт, Сз=4 645пФ	YangJie	460 шт отгрузка 1–3 дня	51,06 ₽
	YJL03N06B	Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ	YangJie	300 шт отгрузка 1–3 дня	5,92 ₽
	YJD120N04A	Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 120 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=110 Вт, Сз=4 645пФ	YangJie	500 шт отгрузка 1–3 дня	68,70 ₽
	TPD3215M	Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт	TRANSPH	1 шт отгрузка 1–3 дня	6200,22 ₽
	IRF300P226	Модуль силовой MOSFET N-канальный 300В 100A 556Вт	INF	43 шт отгрузка 1–3 дня	752,99 ₽
	FF23MR12W1M1PB11BPSA1	Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A	INF	6 шт отгрузка 1–3 дня	9546,30 ₽
	FF2MR12KM1PHOSA1	Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток	INF	4 шт отгрузка 1–3 дня	78489,30 ₽
	BSC093N15NS5ATMA1	Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8	INF	1519 шт отгрузка 1–3 дня	152,63 ₽
	IPT007N06NATMA1	Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF	INF	808 шт отгрузка 1–3 дня	330,53 ₽
	BF999E6327HTSA1	Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C	INF	898 шт отгрузка 1–3 дня	37,34 ₽
	SCT30N120	Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247	STM	75 шт отгрузка 1–3 дня	2665,66 ₽
	C2M0160120D	Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247	Wolfspeed	50 шт отгрузка 1–3 дня	1247,79 ₽
	IRF1010NSTRLPBF	Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке	INF	85 шт отгрузка 1–3 дня	129,47 ₽
	RD07MVS1-T512	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C	MIT	356 шт отгрузка 1–3 дня	435,25 ₽
	RD15HVF1-101	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C	MIT	401 шт отгрузка 1–3 дня	985,54 ₽
	RD30HVF1	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)	MIT	10 шт отгрузка 1–3 дня	2554,81 ₽
	RD06HVF1-501	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C	MIT	7 шт отгрузка 1–3 дня	790,31 ₽
	RD16HHF1-501	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C	MIT	271 шт отгрузка 1–3 дня	1608,74 ₽
	RD01MUS2-T513	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 7.2 В 1 Вт 520МГц Tch=150°C	MIT	4 шт отгрузка 1–3 дня	92,95 ₽
	BF998E6327HTSA1	Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C	INF	7085 шт отгрузка 1–3 дня	51,95 ₽
	MMBFU310LT1G	Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт	ONS	576 шт отгрузка 1–3 дня	26,04 ₽
	MMBF5457	Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт	ONS	3000 шт отгрузка 1–3 дня	42,48 ₽
	MMBFJ270	Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт	ONS	2820 шт отгрузка 1–3 дня	31,36 ₽
	MMBFJ202	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт	ONS	3000 шт отгрузка 1–3 дня	25,27 ₽
	MMBF4391LT1G	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В	ONS	2875 шт отгрузка 1–3 дня	20,79 ₽
	MMBF4392LT1G	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт	ONS	1958 шт отгрузка 1–3 дня	21,31 ₽
	MMBF4393LT1G	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт	ONS	3732 шт отгрузка 1–3 дня	19,61 ₽
	MMBFJ112	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт	ONS	6668 шт отгрузка 1–3 дня	21,94 ₽
	MMBFJ113	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт	ONS	2848 шт отгрузка 1–3 дня	23,49 ₽
	J113	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт	ONS	1005 шт отгрузка 1–3 дня	36,41 ₽
	MMBFJ201	Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт	ONS	4669 шт отгрузка 1–3 дня	23,55 ₽

Полевые транзисторы (MOSFET, JFET) — основные ключи современной силовой электроники: DC/DC преобразователи, управление двигателями, защита от переполюсовки, коммутация нагрузки.

Параметры для подбора

Тип канала: N или P
Напряжение сток–исток и ток стока
Сопротивление открытого канала Rds(on)
Пороговое напряжение затвора — для управления от 3,3 или 5 В
Заряд затвора и корпус

В разделе можно отфильтровать позиции по производителю, цене и наличию. Цена снижается при заказе от нескольких штук, организациям выставляем счёт, доставляем по всей России.