Москва Пн–Пт 9:00–18:00 quant.electronics@mail.ru
Контрактное производство Новости О компании Быстрый заказ
Каталог
Автоматизация Акустика Беспроводное оборудование Готовые изделия Датчики Диоды и тиристоры Заказные позиции Измерительные приборы Индуктивные компоненты Инструмент Источники питания Кабельно-проводниковая продукция и изделия для прокладки кабеля Кварцы, фильтры, осцилляторы Конденсаторы Крепеж и метизы Микросхемы Низковольтное оборудование Оптоэлектроника Паяльное оборудование Переключатели Промышленная автоматизация Разъемы, Соединители Резисторы Реле Светотехнические изделия Соединители для электротехники, компоненты АСУТП Средства разработки, конструкторы Транзисторы Устройства защиты Щитовое оборудование Электромеханические компоненты Электрооборудование Электротехника Degson Электроустановочное оборудование Все разделы →
Войти Избранное Сравнить Корзина

Полевые транзисторы

✓ Только в наличии Найдено: 1711
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
В наличии: 170 шт · отгрузка 1–3 дня
274,35 ₽
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
IRL6372TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
В наличии: 772 шт · отгрузка 1–3 дня
93,60 ₽
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
STS1DNC45
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
В наличии: 839 шт · отгрузка 1–3 дня
140,50 ₽
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
В наличии: 3782 шт · отгрузка 1–3 дня
100,56 ₽
HYG015N10NS1TA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V/380A, Rds(on)=1.2 mΩ(typ.)@VGS = 10V
В наличии: 500 шт · отгрузка 1–3 дня
271,87 ₽
WMO80R1K5S
N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A.
В наличии: 359 шт · отгрузка 1–3 дня
80,65 ₽
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A
WM02P23M
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A
В наличии: 2910 шт · отгрузка 1–3 дня
5,54 ₽
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXFH34N65X2
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
В наличии: 66 шт · отгрузка 1–3 дня
581,69 ₽
WM02N20G
WM02N20G
В наличии: 5628 шт · отгрузка 1–3 дня
4,69 ₽
WM03P91A
WM03P91A
WM03P91A
В наличии: 230 шт · отгрузка 1–3 дня
6,93 ₽
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ
YJL03N06B
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ
В наличии: 910 шт · отгрузка 1–3 дня
6,24 ₽
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
TPD3215M
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
В наличии: 1 шт · отгрузка 1–3 дня
6606,73 ₽
Модуль силовой MOSFET N-канальный 300В 100A 556Вт
IRF300P226
Модуль силовой MOSFET N-канальный 300В 100A 556Вт
В наличии: 43 шт · отгрузка 1–3 дня
780,53 ₽
Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
В наличии: 6 шт · отгрузка 1–3 дня
10000,82 ₽
Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток
FF2MR12KM1PHOSA1
Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток
В наличии: 4 шт · отгрузка 1–3 дня
82755,02 ₽
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8
BSC093N15NS5ATMA1
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8
В наличии: 1609 шт · отгрузка 1–3 дня
158,21 ₽
IPT007N06NATMA1
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF
В наличии: 936 шт · отгрузка 1–3 дня
348,49 ₽
BF999E6327HTSA1
Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C
В наличии: 1007 шт · отгрузка 1–3 дня
39,37 ₽
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
SCT30N120
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
В наличии: 75 шт · отгрузка 1–3 дня
2763,18 ₽
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247
C2M0160120D
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247
В наличии: 121 шт · отгрузка 1–3 дня
1208,89 ₽
Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
IRF1010NSTRLPBF
Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
В наличии: 85 шт · отгрузка 1–3 дня
135,63 ₽
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
RD07MVS1-T512
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
В наличии: 375 шт · отгрузка 1–3 дня
451,18 ₽
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C
RD15HVF1-101
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C
В наличии: 1383 шт · отгрузка 1–3 дня
962,55 ₽
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)
RD30HVF1
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)
В наличии: 10 шт · отгрузка 1–3 дня
2648,28 ₽

Полевые транзисторы (MOSFET, JFET) — основные ключи современной силовой электроники: DC/DC преобразователи, управление двигателями, защита от переполюсовки, коммутация нагрузки.

Параметры для подбора

  • Тип канала: N или P
  • Напряжение сток–исток и ток стока
  • Сопротивление открытого канала Rds(on)
  • Пороговое напряжение затвора — для управления от 3,3 или 5 В
  • Заряд затвора и корпус

В разделе можно отфильтровать позиции по производителю, цене и наличию. Цена снижается при заказе от нескольких штук, организациям выставляем счёт, доставляем по всей России.