Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A

Артикул: STP33N60DM2 Производитель: STM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A

351,09 ₽ от 1 шт

Цена зависит от количества

Количество	Цена за шт
от 1 шт	351,09 ₽
от 5 шт	347,44 ₽
от 10 шт	343,04 ₽
от 19 шт	337,53 ₽
от 37 шт	330,14 ₽

В наличии: 78 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

Артикул	STP33N60DM2
Производитель	STM
Раздел	Одиночные MOSFET транзисторы
Наличие	78 шт на складе
Вес	2 г
В упаковке, шт	50
Единица измерения	шт
Мин. заказ	2
Упаковка	Tube (туба)

Похожие товары

Весь раздел →

N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A.

В наличии: 359 шт · отгрузка 1–3 дня

P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A

P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A

В наличии: 2910 шт · отгрузка 1–3 дня

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

В наличии: 66 шт · отгрузка 1–3 дня

WM03P91A

В наличии: 230 шт · отгрузка 1–3 дня

Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ

Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ

В наличии: 1930 шт · отгрузка 1–3 дня

Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8

BSC093N15NS5ATMA1

Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8

В наличии: 537 шт · отгрузка 1–3 дня

Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

IRF1010NSTRLPBF

Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

В наличии: 191 шт · отгрузка 1–3 дня

Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А

Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А

В наличии: 3352 шт · отгрузка 1–3 дня